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通过10W Ka波段GaN放大器打破功率屏障
作者:admin      时间: 2019-06-13

 超可靠的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)技术为基础,10 瓦 TGA2222 提供 16dB 大信号增益、25dB 小信号增益以及大于 22% 的行业领先的功率附加效率。它以更小的芯片提供这种扩展的 RF 功率,减少了组件的尺寸、重量和数量,为国防应用提供简单但强大的解决方案。

 高性能解决方案业务部门总经理 Roger Hall 表示:“所有市场对更高数据速率的需求不断增加,这继续推动着对性能更好的 RF 解决方案的需求。凭借 TGA2222,Mini-circuits 将为 Ka 频段国防应用提供具有业界最高功率级别和带宽的突破性 MMIC。”

现向符合资格的客户提供 TGA2222,规格如下:
 

mini-circuits


 提供业界最大、最具创意的 GaN-on-SiC 产品组合,帮助客户显著提升效率和工作带宽。 产品组合具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点,早在 2000 年就开始了批量生产。


长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模,快速解决客户最复杂的技术难题。 服务于全球市场,包括先进的无线设备、有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势,以推进 5G 网络、云计算、物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、地点和事物的全球互联。

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